Name: Vishay Siliconix SI4390DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4390DY-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI4390DY-T1-GE3

Artikelnummer:

SI4390DY-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO

Datenblätte:

1.SI4390DY-T1-GE3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014.pdf SI4390DY.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI4390DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4390DY-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Verlustleistung (max)	1.4W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.5A (Ta)
Grundproduktnummer	SI4390
SI4390DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI4390DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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- Originalrechnungsnummer
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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